【課程介紹】

掌握電源完整性關(guān)鍵技能，深入PDN阻抗分析與設(shè)計。本課程從電源分配網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)PDN的基礎(chǔ)知識入手，詳細解讀數(shù)據(jù)手冊，深入探討端口自阻抗與傳輸阻抗。通過目標(biāo)阻抗法，學(xué)習(xí)不同頻率范圍內(nèi)阻抗要求，及如何進行精確計算與保守估算。

【課程實操部分】

將通過HI3536和AM3359等實例，從原理圖分析到電路板布局，逐步指導(dǎo)您完成PDN阻抗檢查與仿真分析。內(nèi)容涵蓋電源平面的旁路電容與去耦電容知識，電容的諧振頻率，以及如何通過電容配置原則優(yōu)化電源濾波和芯片去耦。進一步，課程將揭秘電源平面阻抗優(yōu)化技巧，包括電源樹電流分析、目標(biāo)阻抗法在過孔寄生電感及等效阻抗頻率范圍的應(yīng)用。通過OptimizePI和PowerSI軟件工具，學(xué)習(xí)電源平面分析及阻抗優(yōu)化的完整流程。本課程適合電子工程師、硬件設(shè)計師和相關(guān)專業(yè)學(xué)生，無論您是電源完整性的新手還是希望提升技能的專業(yè)人士，都能從中獲得寶貴的知識和技能，為高效電源設(shè)計打下堅實基礎(chǔ)。

【學(xué)習(xí)效果】

1、規(guī)范的掌握高速PCB和IC芯片互連仿真分析優(yōu)化的仿真分析手段和方法，能夠掌握包括信號完整性,電源完整性,電源噪聲，PDN分析,S參數(shù)分析,全波FEM參數(shù)提取，連接器結(jié)構(gòu)圖體參數(shù)提取與分析,IC芯片參數(shù)參數(shù)提取與分析，DDR3，DDR4高速信號互連仿真分析的手段。掌握電熱混合分析,高速互聯(lián)體仿真分析,MCM,SIP的信號互聯(lián)時域分析,通用信號分析,ESD,EMI分析。IC芯片熱阻,熱密度，熱流分析,壓降分析,封裝參數(shù)RLC模型收取,IBIS編輯修改等技能和驗證分析技巧。

2、學(xué)會和掌握CadenceSigritySl&PIPowerSl、PowerDC、Speed2000、’PowerTree、OptimizePI、SystemSl、BroadbandSPICEClarity3DLayout、Clarity3DWorkbech、CelsiusCFD、Celsius2D、Celsius3D、XtractlM、AMM,、igrityThermal等系列軟件使用方法和應(yīng)用技巧。

3、學(xué)會在頻域分析中詳細的闡述了提取2.5D和3D全波場下提取封裝和PCB的各種網(wǎng)絡(luò)參數(shù)(S/Y/Z及等效L/R/G/C參數(shù))及PDN電源分配網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的辦法與分析優(yōu)化技巧。學(xué)會將直接將仿真的思路和方法應(yīng)用與自己實際工作中的項目中去，讓工程師能夠在掌握整個設(shè)計過程中解決高速問題。

4、以實例操作的辦法化繁為簡手把手的學(xué)會寬帶網(wǎng)絡(luò)參數(shù)模型抽取辦法，系統(tǒng)研究電源的諧振頻率以及輸入阻抗，信號的插入損耗及反射系數(shù),為精確分析電源和信號的性能提供依據(jù)。提高自己的綜合能力，解決工作實際項目中遇到的問題,提高自己的信號分析和仿真能力。

5、在時域電子封裝和印制電路板的電源和信號完整性分析中，以項目實例講解了通用時域仿真分析、電路板DDR3專用時域信號分析、DDR4內(nèi)存專用時域信號分析、TDR_TDT時域反射分析、METRICS信號質(zhì)量評估、EMC信號網(wǎng)絡(luò)輻射仿真分析方法和優(yōu)化技巧。

6、本套視頻的目的是讓工程師能夠通過25個項目分析實例學(xué)習(xí)快速的掌握好通用頻域和時域分析高速互聯(lián)問題的技巧方法,將方法融入到自己的高速互聯(lián)分析中去,從而科學(xué)地解決自己的項目存在的問題。

7、熟練掌握通用信號完整性分析方法，能夠?qū)BIS文件進行修改和裁剪及能夠發(fā)現(xiàn)IBIS文件中存在的常見錯誤問題。能手動搭建通用信號完整性仿真鏈路系統(tǒng)，包括DDR3/4的互聯(lián)信號仿真,同時掌握DDR類,高速互聯(lián)體類,信號指標(biāo)的用判斷標(biāo)準(zhǔn),能夠獨立開展仿真結(jié)果評估和常見異常問題處理。  

【課程目錄大綱】

電源完整性及電源平面PDN阻抗分析技巧及總結(jié)視頻教程

C412、電源的分配網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)PDN&端口的自阻抗和傳輸阻抗

C413、PDN阻抗分析本質(zhì)分析是電源平面固有的頻域特征

C414、端口的自阻抗和端口直接的傳輸阻抗&研究電容擺放

C415、PDN的評估手段通常采用目標(biāo)阻抗法&目標(biāo)阻抗Z曲線

C416、目標(biāo)阻抗法在不同頻率范圍內(nèi)有著不同的阻抗要求

C417、目標(biāo)阻抗法的計算辦法&保守估算辦法和典型計算法

C418、PDN目標(biāo)阻抗在關(guān)注的頻率范圍內(nèi)小于目標(biāo)阻抗數(shù)值

C419、降低電源平面供電系統(tǒng)阻抗的設(shè)計原則及常用辦法

C420、目標(biāo)阻抗板級&封裝級&DIE級進行阻抗仿真的頻率范圍

C421、電源平面中的旁路電容和去耦電容的知識和容量數(shù)值

C422、去耦電容常用的數(shù)值及板級去耦電容的諧振頻率范圍

C423、實例HI3556V200原理圖電源部分電路概述分析講解

C424、實例HI3536LAYOUER電路板的布局及電源網(wǎng)絡(luò)解讀

C425、實例HI3536DDR部分電路PDN阻抗檢查分析導(dǎo)入講解

C426、實例HI3536DDR部分PDN仿真分析電源網(wǎng)絡(luò)講解設(shè)置

C427、實例HI3536VRM模型&IC模型&電容庫電容模型設(shè)置

C428、實例HI3536仿真觀測點設(shè)置&電容開路和及模型設(shè)置

C429、實例HI3536執(zhí)行仿真PDN仿真結(jié)果不符合結(jié)果錯誤

C430、實例HI3536OptimizePI&PDN阻抗檢查流程詳解

C431、實例HI3536&VRM&IC模型&電容模型的參數(shù)詳解

C432、實例HI3536&VRM設(shè)置模型參數(shù)的講解和原理講解

C433、實例HI3536&VRM第三種模型設(shè)置參數(shù)詳細講解

C434、實例HI3536&VRM三種等效模型的對比分析講解

C435、實例HI3536&電源平面的關(guān)聯(lián)電容的模型檢查講解

C436、實例HI3536&觀測點VRM短路設(shè)&及LOAD開路設(shè)置

C437、實例HI3536&平面電容開路&仿真結(jié)果PDN阻抗不合格

C438、實例HI3536&使能平面關(guān)聯(lián)電容&仿真PDN后解讀

C439、實例HI3536&電源平面U8&阻抗超標(biāo)的分析和解讀

C440、實例HI3536&觀測點修改成VRM和LOAD模型及結(jié)果解讀

C441、實例HI3536&PDN仿真結(jié)果分析和阻抗不符合項目分析

C442、實例HI3536&電源樹電流分析&修改目標(biāo)&再次分析解讀

C443、去偶電容的配置原則&電源電源濾波及芯片去耦電容原則

C444、去耦合電容的ESL&ESR寄生電感和寄生電阻參數(shù)特征

C445、AMM中的電容庫的材料調(diào)用&電容庫電容參數(shù)特征

C446、電容庫中電容參數(shù)的特征&ESR&ESL及查看查找方法

C447、容量和封裝不同ESL&ESR的參數(shù)跟隨變化&電容庫參數(shù)

C448、電容自諧振頻率及等效的串聯(lián)電感數(shù)值及封裝有關(guān)系

C449、濾波電容自諧振頻率與電容的尺寸及封裝形式有關(guān)系

C450、去耦電容的計算可以用來電源的負載來計算的電容量

C451、去耦電容的計算可以采用目標(biāo)阻抗法來進行容量

C452、目標(biāo)阻抗法的BULK的高頻率點等效及近似方法

C453、目標(biāo)阻抗法過孔寄生電感及等效阻抗頻率范圍方法

C454、OptimizePI電源平面及電容位置優(yōu)化的分析流程

C455、PowerSI電源平面分析及平面阻抗優(yōu)化分析的流程

C456、PowerSI電源平面分析及平面阻抗優(yōu)化分析的流程

C457、相同容量的電容并聯(lián)具有相同的諧振頻率&阻抗更小

C458、不同容量的電容并聯(lián)有不同諧振峰&有LC的反諧振特征

C459、不同容量的電容并聯(lián)在寬頻減少阻抗&反諧振點阻抗大

C460、利用電容反諧振峰阻抗最小的特征來改善PDN的阻抗

C461、電容的SPICE模型和S參數(shù)模型&兩種模型都能用于仿真

C462、SPICE等效電容的模型文件結(jié)構(gòu)解讀和等效電路特征

C463、電容擺放問題&最小數(shù)值電容有高頻率去耦半徑最小

C464、BGA類芯片電容擺放位置及電容擺放的規(guī)律&背面電容

C465、電容安裝原則&環(huán)路面積最小&總的寄生電感最小化

C466、常見的電容擺放過孔的方式及BGA類圓形電容的過孔

C467、盤中孔的方式寄生電感最小&優(yōu)化電容可以減少數(shù)量

C468、電容引線的寬度和焊盤寬度一致電感小&阻抗不變

C469、電容安裝中的寄生電感的影響因數(shù)&減少回流電感

C470、回路面積越大&引出線的越長電感越大&平面交錯

C471、利用電容反諧振點阻抗最小的特點改善PDN的阻抗

C472、利用電容自諧振頻率點阻抗最小抑制PDN的諧振

C473、利用電容自諧振增加Bulk電容消除諧振的辦法

C474、實例AM3359PWR_VDDS_DDR電源網(wǎng)絡(luò)講解

C475、實例AM33591V5網(wǎng)絡(luò)電源平面負載分析講解

C476、實例AM3359導(dǎo)入PowerSI相關(guān)設(shè)置及網(wǎng)絡(luò)講解

C477、實例AM3359層疊參數(shù)設(shè)置和修改電源網(wǎng)絡(luò)講解

C478、實例AM3359電源平面電容模型添加及檢查操作

C479、實例AM3359電容模型檢查&元件類型修改操作

480、實例AM3359電容檢查&添加端口&添加短接電阻

C481、實例AM3359PDN自阻抗結(jié)果解讀&Z參數(shù)端口分析

C482、實例AM3359U22短接歐電阻作用講解&目標(biāo)阻抗法

C483、實例AM3359修改輸出引腳后經(jīng)電感阻抗有LC諧振峰